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驱动未来: 来自英飞凌CoolGaN™的承诺

2018-12-20
研讨会介绍

继硅和碳化硅之后,氮化镓(GaN)是公认的下一代半导体工艺技术,市场增势强劲。英飞凌CoolGaN™技术旨在充分利用GaN的优势,其中400V和600V CoolGaN™ e-mode HEMT产品适用于消费和工业应用,如服务器、电信设施、无线充电、适配器和充电器等,且远远超出当前标准。其具备更高功率密度,可实现更加小巧、轻便的设计,从而降低系统总成本和运行成本,以及减少资本支出。


随着CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出,目前,英飞凌是市场上唯一一家提供涵盖硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的全系列功率产品的公司。webinar首先介绍氮化镓的背景和市场情况。然后引出600v氮化镓的技术特点,紧接着介绍专门针对英飞凌氮化镓开关的驱动产品。接下来介绍英飞凌氮化镓产品的价值主张和技术优势,最后介绍发布的产品和评估版。

演讲嘉宾

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邓巍 博士

高压GaN高级产品营销经理
公司介绍

英飞凌科技股份有限公司(总部位于德国纽必堡)致力于提供半导体和系统解决方案,为现代社会解决三大主要挑战:高能效、移动性和安全性。2014 财年(截至 9 月 30 日),公司的销售额达43 亿欧元,在全球范围内拥有约29,800 名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。
如需了解更多详情,请访问:http://www.infineon.com/cms/cn
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